Científicos de la universidad de Pennsylvania, Philadelphia investigan en el desarrollo de nuevos dispositivos de memoria a base de materiales de cambio de fase, lo cuales mejorarán la velocidad y durabilidad de las actuales, ya que tienen la capacidad de pasar de una fase cristalina de baja resistencia a una fase amorfa de alta resistencia, permitiéndoles leer y escribir rápidamente. El desarrollar estos diseños a nivel nanométrico con la litografía tradicional el difícil ya que daña la superficie del material e interfiere con el almacenamiento de datos. Se ha desarrollado un método no litográfico para crecer nanocableado, mediante el calentamiento de polvo de titanio, antimonio y telurio hasta su evaporación, y luego depositado en una pieza de silicio salpicada con nanopartículas de oro, que actúan como catalizadores en el enfriamiento formando cables de 30-50 nm de diámetro y 10 nm de largo. El dispositivo se genera ensamblando el cableado y definiendo los contactos eléctricos.
Las ventajas de estos dispositivos es que serán 1000 veces más rápidos que una memoria flash y conservarán la información por 100,000 años, aparte de que gastan menos energía. Esta tecnología a diferencia de otras aproximaciones la correcta caracterización de las transformaciones estructurales y la muestra de los atributos de la memoria. El principal problema es el crecimiento homogenizado, lo cual con las técnicas de bottom-up que se tienen no es posible para un dispositivo real, por lo cual se investiga en ello, así como el fenómeno de cambio estructural y su producción a gran escala, también se están estudiando los límites de tamaño, velocidad y retención de datos.
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