Nueva forma de memoria basada en nanocables piezoeléctricos

Aprovechando las propiedades únicas de los nanocables de óxido de zinc, unos investigadores han demostrado un nuevo tipo de dispositivo para conmutación resistiva piezoeléctrica, que se caracteriza por un control del acceso de lectura-escritura en las células de memoria mediante modulación electromecánica.

Conjuntos de estos dispositivos que operen sobre sustratos flexibles podrían proporcionar un nuevo modo de intercomunicar las acciones mecánicas del mundo biológico con la circuitería electrónica convencional.

Los dispositivos de memoria resistiva modulada piezoeléctricamente se aprovechan del hecho de que se puede controlar la resistencia de materiales semiconductores piezoeléctricos, tales como el óxido de zinc (ZnO), aplicando tensión estructural mediante una acción mecánica. El cambio en la resistencia se puede detectar electrónicamente, lo que proporciona un modo sencillo de obtener una señal electrónica a partir de una acción mecánica.

Los nanocables de óxido de zinc tienen unos 500 nanómetros de diámetro y unos 50 micrones de largo.

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