La estructura estratificada es hecha de un material llamado disulfuro de molibdeno, el cual pertenece a una nueva clase de semiconductores emergentes (dicalcogenuros metálicos) como candidatos potenciales para reemplazar la tecnología de hoy en día, CMOS.
"Vamos a llegar a los límites fundamentales de la tecnología CMOS a base de silicio muy pronto, y eso significa que se deben encontrar nuevos materiales para continuar la ampliación", dijo Saptarshi Das, que ha obtenido un título de doctorado, trabajando con Joerg Appenzeller, un profesor de ingeniería eléctrica e informática y director científico de la nanoelectrónica en el Centro de Nanotecnología Birck Purdue.
"No creo que el silicio pueda ser sustituido por un único material, pero probablemente diferentes materiales coexistirán en una tecnología híbrida".
Los nanocristales son llamados de dos dimensiones debido a que los materiales pueden existir en forma de láminas extremadamente delgadas con un espesor de 0,7 nanómetros, o más o menos la anchura de tres o cuatro átomos. Los resultados muestran que el material se comporta mejor cuando se conforma en láminas de aproximadamente 15 capas con un espesor total de 8-12 nanómetros. Los investigadores también han desarrollado un modelo para explicar las observaciones experimentales.
"Nuestro modelo es genérico y, por lo tanto, se cree que es aplicable a cualquier sistema de capas de dos dimensiones," dijo Das.
Referencia Saptarshi Das, Joerg Appenzeller. Screening and interlayer coupling in multilayer MoS2. Rapid Research Letters, 2013; 7 (4): 268 DOI: 10.1002/pssr.201307015
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