
La estructura básica de un FET, involucra dos electrodos de metal (source y drain), conectados por un canal semiconductor (de silicio), el cual en los CNTFETs, seria reemplazado por un "CNT", que de acuerdo a sus propiedades, seria mas eficiente, de acuerdo a la siguiente ecuacion: IDS = muECG(VGS- VTh)/L
Asi que creo que éstos SWCNTs le ganaran la carrera a la optoelectronica y electronica plastica, pero seria bueno ver puntos de vista.
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