Según un artículo publicado esta semana en Technology Review, investigadores de IBM están desarrollando un nuevo dispositivo de memoria basado en nanocables que podría combinar las mejores cualidades de los distintos tipos de memoria utilizados hoy en día, mejorando el rendimiento y reduciendo los costes. Si esta memoria experimental (todavía en sus primeras fases de desarrollo) tiene éxito, podría servir como memoria universal y llegar a sustituir a los distintos tipos de memoria utilizados en la actualidad.
Stuart Parkin, físico experimental de Centro de Investigación Almaden de IBM en San Jose, California, señala que esta memoria, que almacenará 100 bits de datos en un solo nanocable, podría llegar a almacenar entre 10 y 100 veces más datos que las memorias flash utilizadas en las cámaras digitales y otros pequeños dispositivos portátiles, y funcionar además a velocidades muy superiores. Por otra parte, dado que es una memoria de estado sólido, sería mucho más resistente que los discos duros magnéticos, que necesitan dispositivos mecánicos para leer y escribir los datos. Nuestra memoria podría ser más barata, más densa y más rápida que las memorias flash, señala Parkin, y dado que no incluye un mecanismo que se pueda deteriorar, es totalmente fiable.
Según Parkin, todo esto sería posible como resultado de la aplicación de nuevos descubrimientos al comportamiento a nanoescala de los materiales magnéticos y las corrientes electrónicas en estos materiales, que abren el camino para almacenar muchos bits de datos en un solo nanocable. Parkin ha demostrado los elementos básicos del nuevo tipo de memoria, pero todavía no ha construido un prototipo completo.
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