“High-Performance Flexible Graphene Field Effect Transistors with Ion Gel Gate Dielectrics”

El grafeno ha atraído atención últimamente debido a sus propiedades electrónicas y optoeléctricas, es altamente utilizado en dispositivos como displays, celdas solares y sensores.

Reciementemente se descubrió una nueva forma de aplicación electrónica del grafeno , un arrelgo de algún sustrato de plástico, usando un ion gel como material dieléctrico para dar como resultado un transistor tipo FET (transistor de efecto de campo)

Lo anterior es una prometedora aplicación para la fabricación de transistores FETs con grafeno, una de sus ventajas es que operan a un muy bajo voltaje del orden de V<-3v, además el material dieléctrico (ion gel) tiene una gran capacitancia lo que aumenta su soporte de corriente alta y disminuye su voltaje de operación.

http://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/nl101559n?prevSearch=%2528%2522High-Performance%2BFlexible%2BGraphene%2BField%2BEffect%2BTransistors%2Bwith%2BIon%2BGel%2BGate%2BDielectrics%2522%2529%2BNOT%2B%255Batype%253A%2Bad%255D%2BNOT%2B%255Batype%253A%2Bacs-toc%255D&searchHistoryKey=