Investigadores del Reino Unido han creado un nuevo tipo de componente de memoria a nanoescala que, algún día, se podría utilizar para almacenar más datos en los aparatos. El dispositivo almacena bits de información utilizando la conductancia de los transistores a nanoescala hechos de óxido de zinc.
La semana pasada, los investigadores publicaron, en la versión en línea de la revista Nano Letters, un artículo sobre un dispositivo de memoria prototipo fabricado sobre un sustrato de silicio rígido. Ahora están probando dispositivos de memoria flexibles en el laboratorio, señala Junginn Sohn, investigador del centro de Nanociencia de la Universidad de Cambridge y autor principal del artículo publicado en Nano Letters.
El dispositivo de nanocables almacena los datos de forma eléctrica y es no volátil, lo que significa que retiene los datos cuando la se apaga la corriente, al igual que la memoria flash basada en silicio que se utiliza en los teléfonos inteligentes y lastarjetas de memoria. La nueva memoria no puede retener los datos durante tanto tiempo como la flash, es más lenta y tiene menos ciclos de reescritura, pero se podría hacer más pequeña y se podrían empaquetar más en el mismo espacio. Su principal ventaja, según Sohn, es que se fabrica mediante procesos simples a temperatura ambiente, lo que significa que se puede depositar sobre materiales plásticos flexibles. Las memorias de nanocables se podrían incoporar, por ejemplo, en una pantalla flexible y se podrían embalar en espacios más pequeños en el interior de teléfonos móviles, reproductores de MP3, etiquetas RFID de plástico y tarjetas de crédito.
El blog de nanotecnología y materiales avanzados de la Universidad de las Américas Puebla
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