Wafers mas regulares y limpios

Convirtiendo nanopartículas poliédricas de óxido de cerio en nanoesferas unicristalina se puede mejorar la calidad de los wafers de silicio para su uso en la nanoelectrónica. Para la fabricación a gran escala de wafers para implementarse en nanodispositivos y su integración con la tecnología del silicio, la superficie del wafer debe de ser perfectamente plana y libre de defectos. Las nanopartículas de óxido de cerio son el nanomaterial abrasivo base para el CMP (chemical-mechanical planarization) de los circuitos integrados avanzados. Las nanopartículas cristalinas de óxido de cerio se han sintetizado por muchos procedimientos como: Ruta hidrotérmica con microondas, cristalización hidrotérmica, microemulsión, aerosol pirolisis, sol-gel, y otros más. Pero en cada uno de ellos las formas que se obtienen del dióxido de cerio son muy irregulares y con puntas, esquinas y colmos afilados, los cuales al entrar en contacto con la superficie del silicio lo arañan y se pierde el potencial de exactitud del CMP. La solución que se presentó es el dopar al sistema de dióxido de cerio con titanio, mediante el L-FSP (liquid-phase flame spray pyrolysis), en el cual el cerio retiene el titanio fundido. La parte del interior del dióxido de cerio esta confinada dentro de una capa de dióxido de titanio que le da una forma esférica que limita el posible daño. Este principio puede ser aplicado a cualquier sistema de oxidación.